A félvezető anyagok előállítása számos különböző módszerrel történhet. Ezek a módszerek lehetővé teszik a félvezető anyagok kívánt tulajdonságainak és összetételének beállítását. Az alábbiakban bemutatunk néhány gyakran használt módszert:
1. Czochralski-módszer: Ez a módszer a legelterjedtebb a szilícium félvezető anyagok előállítására. A folyamat során egy henger alakú kristályt növesztenek a félvezető anyagból. Ehhez a félvezető anyagot egy hőálló tartályba helyezik, majd lassan lehűtik. A kristály növekedése során a félvezető anyagból kiváló tisztaságú kristály alakul ki.
2. Molekuláris sugárzás epitaxiális (MBE) módszer: Ez a módszer a félvezető anyagok atomi rétegeinek növesztésére szolgál. A folyamat során a félvezető anyagot egy forró kemencében hevítik, majd egy molekuláris sugárzás segítségével atomi rétegeket raknak le a szubsztrátumra. Ez a módszer nagyon pontos és kontrollált rétegképzést tesz lehetővé.
3. Kémiai gőz leülepedés (CVD) módszer: Ez a módszer a félvezető anyagok gőz fázisban történő növesztésére szolgál. A folyamat során a félvezető anyagokat egy reaktorban lévő gázkeverékkel reagáltatják. A reakció során a gázkeverékben lévő anyagok leülepednek a szubsztrátumra, és félvezető réteget képeznek. Ez a módszer nagy mennyiségű félvezető anyag előállítására alkalmas.
4. Lézeres abláció: Ez a módszer a félvezető anyagok lézerrel történő eltávolítására és növesztésére szolgál. A folyamat során a lézerrel a félvezető anyagot „leégetik” vagy eltávolítják a szubsztrátumról. Ezután a félvezető anyagot egy másik szubsztrátumra helyezik, és lézerrel új réteget növesztenek rá. Ez a módszer nagyon precíz és helyspecifikus rétegképzést tesz lehetővé.
Ezek csak néhány példa a félvezető anyagok előállítására használt módszerek közül. A technológia folyamatosan fejlődik, és új módszerek jelennek meg a félvezető anyagok előállítására.